MOSFET

Los transistores MOSFET  o metal-oxido-semiconductor; son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para generar conducción.

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS yMOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación o deplexion; en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento.

Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas en la superficie del substrato y se crea un camino de conducción entre los terminales drenador y fuente.

La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son de de 0.5 V a 3 V.

La aplicación

Resistencia controlada por tensión.

Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.