IGBT

El Transistor bipolar de puerta de salida es un dispositivo semiconductor compuesto por una alta impedancia de entrada, el transistor bipolar de puerta aislada se aplica generalmente a circuitos de potencia. Y como dispositivo para conmutación de sistemas de alta tensión ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia con una señal eléctrica muy débil en la puerta

 Funciona así:

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero

EL IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal gate. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa

Sus características son:

 IDmax Limitada por efecto Latch-up.
 VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
 Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde
puerta.
 VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).